Art

J-GLOBAL ID：200902177205652468   Reference number：00A0236917

Direct observation of LPE heterogrowth of GaAs on a GaP substrate.

GaP基板上でのGaAsのLPEヘテロ成長の直接観察

Author (4)： TANAKA A (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  IZUMI N (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  KIMURA M (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN) ,  SUKEGAWA T (Shizuoka Univ., Hamamatsu, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 208  Issue： 1/4  Page： 33-36  Publication year： Jan. 2000 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *liquid phase growth ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (4)： GAP ,  GaAs ,  テロ ,  成長