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J-GLOBAL ID：200902177515489001   Reference number：96A0982556

Reduced Turn-on Delay Time in 1.3-μm InGaAsP-InP n-Type Modulation-Doped Strained Multiquantum-Well Lasers with a Buried Heterostructure.

ターンオン遅延時間を減少した埋め込みヘテロ構造を持つ1.3μm帯InGaAsP-InP n形変調ドープ-歪層多重量子井戸レーザ

Author (5)： NAKAHARA K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  UOMI K (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  HAGA T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  TANIWATARI T (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN) ,  OISHI A (Hitachi, Ltd., Tokyo, JPN)
Material： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Transactions Photonics Technology Letters)
Volume： 8  Issue： 10  Page： 1297-1298  Publication year： Oct. 1996 
JST Material Number： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum well laser ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (9)： ターンオン ,  遅延時間 ,  埋め込み ,  ヘテロ構造 ,  InGaAsP ,  InP ,  変調ドープ ,  歪層 ,  多重量子井戸レーザ