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J-GLOBAL ID：200902177758327212   Reference number：97A0992997

Defect structure in selectively grown GaN films with low threading dislocation density.

低い貫通転位密度を持つ選択成長GaN膜中の欠陥構造

Author (3)： SAKAI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  SUNAKAWA H (NEC Corp., Ibaraki, JPN) ,  USUI A (NEC Corp., Ibaraki, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 71  Issue： 16  Page： 2259-2261  Publication year： Oct. 20, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： dislocation(crystal) ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (4)： 貫通転位密度 ,  選択成長 ,  GaN ,  欠陥構造