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J-GLOBAL ID：200902179384532294   Reference number：01A0178080

Si doped SiO₂ glass light emitter within an optical cavity fabricated by ion beam sputter-deposition.

イオンビームスパッタ蒸着により作製した光共振器内のSiドープSiO₂ガラス発光体

Author (5)： ICHINOHE T (Tokyo National Coll. Technol., Tokyo, JPN) ,  KENMOCHI D (HOYA Co. Ltd., Tokyo, JPN) ,  MORISAKI H (Univ. Electro-Communications, Tokyo, JPN) ,  MASAKI S (Tokyo National Coll. Technol., Tokyo, JPN) ,  KAWASAKI K (TDY Co. Ltd., Kanagawa, JPN)
Material： Thin Solid Films
Volume： 377/378  Page： 87-91  Publication year： Dec. 01, 2000 
JST Material Number： B0899A  ISSN： 0040-6090  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *sputtered deposition ,...

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JST classification (2)： Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Oxide thin films  (BK14050P)

Terms in the title (9)： イオンビーム ,  スパッタ蒸着 ,  作製 ,  光共振器 ,  Si ,  ドープ ,  SiO2 ,  ガラス ,  発光体