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J-GLOBAL ID：200902179721509755   Reference number：02A0628222

Growth of Fe doped semi-insulating GaN by metalorganic chemical vapor deposition.

金属有機化学蒸着によるFeドープ半絶縁GaNの成長

Author (4)： HEIKMAN S (Univ. California, California) ,  KELLER S (Univ. California, California) ,  DENBAARS S P (Univ. California, California) ,  MISHRA U K (Univ. California, California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 81  Issue： 3  Page： 439-441  Publication year： Jul. 15, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： pressure dependence

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 金属有機化学蒸着 ,  Fe ,  ドープ ,  半絶縁 ,  GaN ,  成長