Art

J-GLOBAL ID：200902179814495703   Reference number：00A0382675

Effect of Back-Channel Plasma Etching on the Leakage Current of a-Si:H Thin Film Transistors.

a-Si:H薄膜トランジスタの漏れ電流に及ぼす背面チャネルプラズマエッチングの影響

Author (4)： YI C (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang, KOR) ,  RHEE S-W (Pohang Univ. Sci. and Technol. (POSTECH), Pohang, KOR) ,  PARK S-H (Samsung Electronics Co., Kiheung, KOR) ,  JU J-H (Samsung Electronics Co., Kiheung, KOR)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 39  Issue： 3A  Page： 1051-1053  Publication year： Mar. 15, 2000 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...

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JST classification (3)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Transistors  (NC03070N) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (6)：

• 1) S. Yamakawa, S. Yabuta, A. Ban, M. Okamoto, M. Katayama, Y. Ishii and M. Hijikigawa: SID 98 Dig (1998) p. 443.
• 2) M. Ando, M. Wakagi, T. Watanabe and T. Minemura: IDW'96/AM-LCD'96 (1996) p. 45.
• 3) K. Kobayashi, H. Murai, M. Hayama and T. Yamazaki: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 219 (1991) 321.
• 4) K. S. Lee, J. H. Choi, S. K. Kim, H. B. Jeon and J. Jang: Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 2403.
• 5) H. Miyashita and Y. Watabe: IEEE Trans. Electron Devices 41 (1994) 499.

Terms in the title (6)： Si ,  薄膜トランジスタ ,  漏れ電流 ,  背面 ,  チャネル ,  プラズマエッチング