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J-GLOBAL ID：200902179873201063   Reference number：98A0779728

Polarity determination of a GaN thin film on sapphire (0001) with x-ray standing waves.

X線定在波によるサファイア(0001)上のGaN薄膜の極性決定

Author (8)： KAZIMIROV A (Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU) ,  SCHERB G (Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU) ,  ZEGENHAGEN J (Max-Planck-Inst. Festkoerperforsch., Stuttgart, DEU) ,  LEE T-L ,  BEDZYK M J ,  KELLY M K (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  ANGERER H (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU) ,  AMBACHER O (Technische Univ. Muenchen, Garching, DEU)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 84  Issue： 3  Page： 1703-1705  Publication year： Aug. 01, 1998 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MBE growth ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： X線 ,  定在波 ,  サファイア ,  GaN ,  薄膜 ,  極性