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J-GLOBAL ID：200902180023068044   Reference number：98A0274812

2D/3D growth of GaN by molecular beam epitaxy: towards GaN quantum dots.

分子ビームエピタクシーによるGaNの2次元/3次元成長 GaN量子ドットに向けて

Author (7)： DAUDIN B (CEA-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  WIDMANN F (CEA-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  FEUILLET G (CEA-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  ADELMANN C (CEA-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  SAMSON Y (CEA-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  ARLERY M (CEA-Grenoble, Grenoble, FRA) ,  ROUVIERE J L (CEA-Grenoble, Grenoble, FRA)
Material： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Mater Sci Eng B)
Volume： B50  Issue： 1/3  Page： 8-11  Publication year： Dec. 18, 1997 
JST Material Number： T0553A  ISSN： 0921-5107  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： 分子ビームエピタクシー ,  GaN ,  2次元 ,  3次元 ,  成長 ,  量子ドット