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J-GLOBAL ID：200902180314841638   Reference number：97A0770185

Thin film growth of silicon carbide from methyl-trichloro-silane by RF plasma-enhanced CVD.

RFプラズマ増強CVDによるメチル-トリクロロ-シランからの炭化けい素の薄膜成長

Author (4)： KANEKO T (Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  MIYAKAWA N (Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SONE H (Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  IIJIMA M (Sci. Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 174  Issue： 1/4  Page： 658-661  Publication year： Apr. 1997 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： methane

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： RF ,  プラズマ増強CVD ,  シラン ,  炭化けい素 ,  薄膜成長