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J-GLOBAL ID：200902180518503162   Reference number：96A0977686

Room Temperature Pulsed Operation of Nitride Based Multi-Quantum-Well Laser Diodes with Cleaved Facets on Conventional C-Face Sapphire Substrate.

従来C面サファイア基板上のへき開ファセットを持つ窒化膜ベースマルチ量子井戸レーザダイオードの室温パルス動作

Author (9)： ITAYA K (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  ONOMURA M (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  NISHIO J (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  SUGIURA L (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  SAITO S (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  SUZUKI M (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  YAMAMOTO M (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  FUJIMOTO H (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN) ,  ISHIKAWA M (Toshiba Materials and Devices Lab., Kawasaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 35  Issue： 10B  Page： L1315-L1317  Publication year： Oct. 15, 1996 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Reference (14)：

• HATAKOSHI, G. IEEE J.Quantum Electron. 1991, QE, 27, 1476
• ITAYA, K. J.Cryst.Growth. 1994, 138, 768
• HASSE, M. A. Appl.Phys.Lett. 1991, 59, 1272
• ITOH, S. Jpn.J.Appl.Phys. 1994, 33, 938
• AMANO, H. Appl.Phys.Lett. 1986, 48, 353

Terms in the title (9)： サファイア基板 ,  へき開 ,  ファセット ,  窒化膜 ,  マルチ ,  量子井戸レーザ ,  ダイオード ,  室温 ,  パルス