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J-GLOBAL ID：200902180526632397   Reference number：00A0359908

Long-term Reliability Evaluation of Power Semiconductor Devices used in Power Station Rectifiers and Substation Rectifiers.

発変電所整流装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性評価

Author (2)： HORIUCHI TOSHIKAZU (関西電力 総技研) ,  SUGAWARA YOSHITAKA (関西電力 総技研)
Material： 電気学会論文誌 D  (IEEJ Transactions on Industry Applications)
Volume： 120-D  Issue： 3  Page： 397-403  Publication year： Mar. 01, 2000 
JST Material Number： X0451A  ISSN： 0913-6339  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *rectifier ,...

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JST classification (2)： Rectifiers  (NB08040M) ,  Measurement,testing and reliability of solid-state devices  (NC03040G)

Reference (5)：

• 菅原. 変電所整流装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性(1). 平成9年電気学会全国大会
• 堀内. 変電所整流装置搭載パワー半導体素子の長期信頼性(2). 平成10年電気学会全国大会
• HORIUCHI, T. Long-term Reliability Evaluation of Power Semiconductor Devices Used in Substation Rectifiers. The 10th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs:Proceedings of 10th ISPSD. 1998, 195-198
• 野中保雄. 日科技連信頼性工学シリーズ第5巻信頼性データのとり方まとめ方. 48-56
• 安食恒雄. 半導体デバイスの信頼性技術. 79

Terms in the title (6)： 変電所 ,  整流装置 ,  パワー ,  半導体素子 ,  長期 ,  信頼性評価