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J-GLOBAL ID：200902181577183720   Reference number：95A0756445

Microstructure of GaN epitaxy on SiC using AlN buffer layers.

AlNバッファ層を用いたSiC上のGaNエピタクシーの微細構造

Author (5)： PONCE F A (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  KRUSOR B S (Xerox Palo Alto Res. Center, California) ,  MAJOR J S JR (SDL, Inc., California) ,  PLANO W E (SDL, Inc., California) ,  WELCH D F (SDL, Inc., California)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 67  Issue： 3  Page： 410-412  Publication year： Jul. 17, 1995 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： AlN ,  バッファ層 ,  SiC ,  GaN ,  エピタクシー ,  微細構造