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J-GLOBAL ID：200902182681435487   Reference number：01A0162855

Electrical and reliability characteristics of ZrO₂ deposited directly on Si for gate dielectric application.

Si上に直接堆積したゲート絶縁体用ZrO₂の電気及び信頼特性

Author (6)： QI W-J (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  NIEH R (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  LEE B H (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  KANG L (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  JEON Y (Univ. Texas at Austin, Texas) ,  LEE J C (Univ. Texas at Austin, Texas)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 20  Page： 3269-3271  Publication year： Nov. 13, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gate (semiconductor) ,...

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JST classification (2)： Dielectrics in general  (BM05010F) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (5)： Si ,  堆積 ,  ゲート絶縁体 ,  ZrO2 ,  信頼