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J-GLOBAL ID：200902182732230567   Reference number：00A0550043

GaAs-Based 1.3μm InGaAs Quantum Dot Lasers: A Status Report.

GaAsを基材とする1.3μm InGaAs量子ドットレーザ 現状報告

Author (5)： MAXIMOV M V (A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  LEDENTSOV N N (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU) ,  USTINOV V M (A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  ALFEROV ZH I (A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., St. Petersburg, RUS) ,  BIMBERG D (Technische Univ. Berlin, Berlin, DEU)
Material： Journal of Electronic Materials  (J Electron Mater)
Volume： 29  Issue： 5  Page： 476-486  Publication year： May. 2000 
JST Material Number： D0277B  ISSN： 0361-5235  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *quantum dot ,...

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (5)： GaAs ,  InGaAs ,  量子ドットレーザ ,  現状 ,  報告