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J-GLOBAL ID：200902182935981967   Reference number：95A0586692

TEM Observation of GaN Grown on GaAs(001) Substrate by HVPE/GSMBE Hybrid Method.

GaAs(001)基板上にHVPE/GSMBEハイブリッド成長させたGaN層の透過電子顕微鏡観察

Author (6)： KUWANO NORIYUKI (九大 大学院 総合理工学研究科) ,  TAKESUE YASUYUKI (九大 大学院 総合理工学研究科) ,  YAMAMOTO SHINZO (九大 大学院 総合理工学研究科) ,  OKI KENSUKE (九大 大学院 総合理工学研究科) ,  TSUCHIYA HARUNORI (筑波大 物質工学系) ,  HASEGAWA FUMIO (筑波大 物質工学系)
Material： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
Volume： 42nd  Issue： Pt 1  Page： 186  Publication year： Mar. 1995 
JST Material Number： Y0054A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (7)： GaAs ,  HVPE ,  GSMBE ,  成長 ,  GaN ,  透過電子顕微鏡 ,  観察