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J-GLOBAL ID：200902183280299889   Reference number：02A0501719

A Solid-State Light-Emitting Device Based on Excitations of Ballistic Electrons Generated in Nanocrystalline Porous Polysilicon Films.

ナノ結晶性多孔質ポリシリコン薄膜中で発生した弾道電子の励起に基づいた固体発光デバイス

Author (4)： NAKAJIMA Y (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KOJIMA A (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  TOYAMA H (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN) ,  KOSHIDA N (Tokyo Univ. Agriculture and Technol., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 4B  Page： 2707-2709  Publication year： Apr. 30, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Substance index (1)： Aluminum tris(quinoline-8-olate)

Reference (9)：

• 1) N. Koshida, K. Ueno and X. Sheng: J. Lumin. 80 (1998) 37.
• 2) N. Koshida, T. Ozaki, X. Sheng and H. Koyama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L705.
• 3) X. Sheng, H. Koyama and N. Koshida: J. Vac. Sci. & Technol. B<B>16</B> (1998) 793.
• 4) N. Koshida, X. Sheng and T. Komoda: Appl. Surf. Sci. 146 (1999) 371.
• 5) T. Komoda, Y. Honda, T. Hatai, Y. Watabe, T. Ichihara, K. Aizawa and N. Koshida: Society of Information Display, San Jose, 2001, Dig. Technol. Pap. 32 (SID, San Jose, 2001) 14-1.

Terms in the title (6)： ナノ結晶 ,  多孔質 ,  シリコン薄膜 ,  弾道電子 ,  励起 ,  固体発光