Art

J-GLOBAL ID：200902183770815516   Reference number：98A0947975

Schottky barrier engineering in III-V nitrides via the piezoelectric effect.

圧電効果によるIII-V窒化物のSchottky障壁の調節

Author (9)： YU E T (Univ. California at San Diego, California) ,  DANG X Z (Univ. California at San Diego, California) ,  YU L S (Univ. California at San Diego, California) ,  QIAO D (Univ. California at San Diego, California) ,  ASBECK P M (Univ. California at San Diego, California) ,  LAU S S (Univ. California at San Diego, California) ,  SULLIVAN G J (Rockwell International Sci. Center, California) ,  BOUTROS K S (Epitronics/ATMI, Arizona) ,  REDWING J M (Epitronics/ATMI, Arizona)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 73  Issue： 13  Page： 1880-1882  Publication year： Sep. 28, 1998 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0947975&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=H0613A") }}

JST classification (2)： Semiconductor-metal contacts  (BM03084G) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： 圧電効果 ,  窒化物 ,  Schottky障壁 ,  調節