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J-GLOBAL ID：200902183833061851   Reference number：97A0015436

The impact of nitrogen profile engineering on ultra-thin nitrided oxide films for dual-gate CMOS ULSI.

デュアルゲートCMOS・ULSI用超薄窒化酸化膜への窒素プロファイル工学の影響

Author (9)： HASEGAWA E (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KAWATA M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ANDO K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MAKABE M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  KITAKATA M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ISHITANI A (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  MANCHANDA L (AT&T Bell Lab., NJ) ,  KRISCH K S (AT&T Bell Lab., NJ) ,  FELDMAN L C (AT&T Bell Lab., NJ)
Material： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (IEEE International Electron Devices Meeting)
Volume： 1995  Page： 327-330  Publication year： 1995 
JST Material Number： C0829B  ISSN： 0163-1918  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： CMOS structure ,...

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JST classification (2)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Terms in the title (8)： デュアルゲート ,  CMOS ,  ULSI ,  窒化 ,  酸化膜 ,  窒素 ,  プロファイル ,  工学