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J-GLOBAL ID：200902184245064573   Reference number：02A0070333

Growth process conditions of vertically aligned carbon nanotubes using plasma enhanced chemical vapor deposition.

プラズマ増強化学蒸着による垂直整列カーボンナノチューブの成長プロセス条件

Author (9)： CHHOWALLA M (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  TEO K B K (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  DUCATI C (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  RUPESINGHE N L (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  AMARATUNGA G A J (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  FERRARI A C (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  ROY D (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  ROBERTSON J (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR) ,  MILNE W I (Univ. Cambridge, Cambridge, GBR)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 90  Issue： 10  Page： 5308-5317  Publication year： Nov. 15, 2001 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *nanotube ,...

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JST classification (1)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A)

Terms in the title (5)： プラズマ増強化学蒸着 ,  垂直整列 ,  カーボンナノチューブ ,  成長 ,  プロセス条件