Art

J-GLOBAL ID：200902184337771497   Reference number：02A0306923

Study on Zr-silicate interfacial layer of ZrO₂ metal-insulator-semiconductor structure.

ZrO₂金属-絶縁体-半導体構造におけるZrシリケート界面層

Author (4)： YAMAGUCHI T (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SATAKE H (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  FUKUSHIMA N (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  TORIUMI A (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 80  Issue： 11  Page： 1987-1989  Publication year： Mar. 18, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MIS structure ,...
Semi thesaurus term： 等価酸化物厚み

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JST classification (3)： Metal-insulator-semiconductor structures  (BM03085X) ,  Oxide thin films  (BK14050P) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (5)： ZrO2 ,  金属-絶縁体-半導体構造 ,  Zr ,  シリケート ,  界面層