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J-GLOBAL ID：200902184623320214   Reference number：97A0770905

Growth of gallium nitride thin films by liquid-target pulsed laser deposition.

液体ターゲットを用いたパルスレーザ蒸着による窒化ガリウム薄膜の成長

Author (7)： XIAO R F (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  SUN X W (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LI Z F (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  CUE N (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  KWOK H S (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  LIU Q Z (Univ. California, California) ,  LAU S S (Univ. California, California)
Material： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science and Technology. A. Vacuum, Surfaces, and Films)
Volume： 15  Issue： 4  Page： 2207-2213  Publication year： Jul. 1997 
JST Material Number： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： forbidden band

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： 液体ターゲット ,  パルスレーザ蒸着 ,  窒化ガリウム ,  薄膜 ,  成長