Art

J-GLOBAL ID：200902185025533617   Reference number：97A0743377

Gas source molecular beam epitaxy of wurtzite GaN on sapphire substrates using GaN buffer layers.

GaNバッファ層を利用したサファイア基板上へのウルツ鉱型GaNのガス源分子線エピタクシー

Author (4)： GRANDJEAN N (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  LEROUX M (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  LAUEGT M (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA) ,  MASSIES J (Centre de Rech. Hetero-Epitaxie et ses Applications, Centre National de la Rech. Scientifique, Valbonne, FRA)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 71  Issue： 2  Page： 240-242  Publication year： Jul. 14, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： gallium nitride ,...
Semi thesaurus term： GSMBE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (5)： GaN ,  バッファ層 ,  サファイア基板 ,  ウルツ鉱 ,  ガス源分子線エピタクシー