インスタント固相エピタキシャル法による自然超格子酸化物InGaO<sub>3</sub>(ZnO)<sub>m</sub>単結晶薄膜の作製 (I)

OTA HIROMICHI; HIRAMATSU HIDENORI; ORITA MASAHIRO; HIRANO MASAHIRO; NOMURA KENJI; UEDA KAZUSHIGE; HOSONO HIDEO; SUZUKI TOSHIYUKI; ISOHARA YUICHI

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J-GLOBAL ID：200902185051549556 Reference number：02A0949313

インスタント固相エピタキシャル法による自然超格子酸化物InGaO₃(ZnO)_m単結晶薄膜の作製 (I)

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Volume： 15th Page： 180 Publication year： Sep. 22, 2002
JST Material Number： L2240A Document type： Proceedings
Article type：短報 Country of issue： Japan (JPN) Language： JAPANESE (JA)

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Oxide thin films

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インスタント固相エピタキシャル法による自然超格子酸化物InGaO3(ZnO)m単結晶薄膜の作製 (I)

インスタント固相エピタキシャル法による自然超格子酸化物InGaO₃(ZnO)_m単結晶薄膜の作製 (I)