Art

J-GLOBAL ID：200902185476974390   Reference number：98A0950495

Material Properties of Heteroepitaxial Ir and Pb(Zr_xTi_1-x)O₃ Films on (100)(ZrO₂)_1-x(Y₂O₃)_x/(100)Si Structure Prepared by Sputtering.

(100)(ZrO₂)_1-x(Y₂O₃)_x/(100)Si構造上にスパッタしたIr及びPb(Zr_xTi_1-x)O₃ヘテロエピタキシャル膜の材料特性

Author (3)： HORITA S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  HORII S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  UMEMOTO S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 9B  Page： 5141-5144  Publication year： Sep. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *DRAM ,...
Semi thesaurus term： *PZT ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=98A0950495&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

JST classification (3)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Ferroelectrics,antiferroelectrics and ferroelasticity  (BM05030B)

Reference (18)：

• 1) J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electron Devices 10 (1963) 338.
• 2) T. Hirai, K. Teramoto, K. Nagashima, H. Koike and Y. Tarui: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 4163
• 3) M. de Keijser, J. F. M. Cillessen, R. B. F. Janssen, A. E. M. De Veirman and D. M. de Leeuw: J. Appl. Phys. 79 (1996) 393
• 4) C.  M. Foster, G.-R. Bai, R. Csencsits, J. Vetrone, R. Jammy, L. A. Wills, E. Carr and J. Amano: J. Appl. Phys. 81 (1997) 2349
• 5) P. Legagneux, G. Garry, D. Dieumegard, C. Schwebel, C. Pellet, G. Gautherin and J. Siejka: Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 1506

Terms in the title (10)： ZrO2 ,  Y2O3 ,  Si ,  スパッタ ,  Ir ,  Pb ,  O3 ,  テロ ,  エピタキシャル膜 ,  材料特性