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J-GLOBAL ID：200902185674724545   Reference number：02A0599355

Soft X-ray emission study of thermally treated Ni(film)/4H-SiC(substrate) interface.

熱処理したNi(膜)/4H-SiC(基板)界面の軟X線放射研究

Author (7)： OHI A (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  LABIS J (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  MORIKAWA Y (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  FUJIKI T (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  HIRAI M (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  KUSAKA M (Okayama Univ., Okayama, JPN) ,  IWAMI M (Okayama Univ., Okayama, JPN)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 190  Issue： 1/4  Page： 366-370  Publication year： May. 08, 2002 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon carbide ,...
Semi thesaurus term： 4H-SiC

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JST classification (3)： Metallic thin films  (BK14030T) ,  Other noncatalytic reactions  (CB06070U) ,  X-ray spectra in general.Including X-ray  (BM08101P)

Terms in the title (7)： 熱処理 ,  Ni ,  4H-SiC ,  界面 ,  軟X線 ,  放射 ,  研究