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J-GLOBAL ID：200902186779882010   Reference number：95A0981057

Low-Energy Yield Spectroscopy as a Novel Technique for Determining Band Offsets: Application to the c-Si(100)/a-Si:H Heterostructure.

新しいバンドオフセット決定法としての低エネルギー収量分光法 c-Si(100)/-aSi:Hヘテロ接合への応用

Author (5)： SEBASTIANI M ,  DI GASPARE L ,  CAPELLINI G ,  BITTENCOURT C ,  EVANGELISTI F
Material： Physical Review Letters  (Phys Rev Lett)
Volume： 75  Issue： 18  Page： 3352-3355  Publication year： Oct. 30, 1995 
JST Material Number： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： Photoelectron Spectroscopy ,...
Semi thesaurus term： 光電子収量分光法

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JST classification (3)： Electron spectroscopy  (BM09060K) ,  Electronic structure in general  (BM02010K) ,  Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P)

Terms in the title (7)： バンドオフセット ,  低エネルギー ,  収量 ,  分光法 ,  Si ,  ヘテロ接合 ,  応用