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J-GLOBAL ID：200902186846530574   Reference number：01A0207371

Control of polarity of ZnO films grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy: Zn- and O-polar ZnO films on Ga-polar GaN templates.

プラズマ支援分子ビームエピタクシーで成長したZnO膜の極性の制御 Ga極性GaNテンプレート上のZn極性及びO極性のZnO膜

Author (8)： HONG S-K (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  HANADA T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  KO H-J (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  CHEN Y (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  YAO T (Tohoku Univ., Sendai, JPN) ,  IMAI D (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN) ,  ARAKI K (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN) ,  SHINOHARA M (Shimadzu Corp., Kanagawa, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 77  Issue： 22  Page： 3571-3573  Publication year： Nov. 27, 2000 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *semiconductor thin film ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (10)： プラズマ ,  支援 ,  分子ビームエピタクシー ,  成長 ,  ZnO ,  極性 ,  Ga ,  GaN ,  テンプレート ,  Zn