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J-GLOBAL ID：200902187395995710   Reference number：03A0083996

InGaN-Based Near-Ultraviolet and Blue-Light-Emitting Diodes with High External Quantum Efficiency Using a Patterned Sapphire Substrate and a Mesh Electrode.

パターン化したサファイア基板とメッシュ電極を使った高い外部量子効率のInGaN系近紫外及び青発光ダイオード

Author (9)： YAMADA M (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MITANI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  NARUKAWA Y (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SHIOJI S (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  NIKI I (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SONOBE S (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  DEGUCHI K (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  SANO M (Nichia Corp., Tokushima, JPN) ,  MUKAI T (Nichia Corp., Tokushima, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 41  Issue： 12B  Page： L1431-L1433  Publication year： Dec. 15, 2002 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium compound ,...

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JST classification (1)： Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (11)：

• 1) S. Nakamura, T. Mukai and M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64 (1994) 1687.
• 2) S. Nakamura, T. Mukai, M. Senoh and N. Iwasa: J. Appl. Phys. 76 (1994) 8189.
• 3) K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato and T. Taguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L583.
• 4) J. Narayan, H. Wang, J. Ye, S. J. Hon, K. Fox, J. C. Chen, H. K. Choi and J. C. Fan: J. Appl. Phys. 81 (2002) 841.
• 5) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama, T. Yamada and T. Mukai: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L1332.

Terms in the title (7)： サファイア基板 ,  メッシュ電極 ,  外部量子効率 ,  InGaN ,  近紫外 ,  青発光 ,  ダイオード