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J-GLOBAL ID：200902141838044853   Reference number：01A0733988

High Output Power InGaN Ultraviolet Light-Emitting Diodes Fabricated on Patterned Substrates Using Metalorganic Vapor Phase Epitaxy.

有機金属気相エピタクシーを用いてパターン化した基板上に作製した高出力のInGaNの紫外発光ダイオード

Author (7)： TADATOMO K (Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  OKAGAWA H (Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  OHUCHI Y (Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  TSUNEKAWA T (Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  IMADA Y (Mitsubishi Cable Ind., Ltd., Hyogo, JPN) ,  KATO M (Stanley Electric Co., Ltd., Kanagawa, JPN) ,  TAGUCHI T (Yamaguchi Univ., Yamaguchi, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 40  Issue： 6B  Page： L583-L585  Publication year： Jun. 15, 2001 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *light emitting diode ,...
Semi thesaurus term： MOVPE ,...

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JST classification (2)： Light emitting devices  (NC03082G) ,  Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (19)：

• 1) S. Nakamura, M. Senoh, N. Iwasa and S. Nagahama: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) L797.
• 2) T. Mukai, T. Yamada and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 37 (1998) L1358.
• 3) T. Mukai and S. Nakamura: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 5735.
• 4) S. Nakamura, M. Senoh, S. Nagahata, N. Iwasa, T. Yamada, T. Matsushita, H. Kiyoku, Y. Sugimoto, T. Kozaki, H. Umemoto, M. Sano and K. Chocho: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L1568.
• 5) S. D. Lester, F. A. Ponce, M. G. Craford and D. A. Steigerwald: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 1249.

Terms in the title (5)： 有機金属気相エピタクシー ,  作製 ,  高出力 ,  InGaN ,  紫外発光ダイオード