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J-GLOBAL ID：200902187453527888   Reference number：02A0687187

Effect of sputtering gas pressure and nitrogen concentration on crystal orientation and residual stress in sputtered AlN films.

スパッタAlN膜の結晶配向と残留応力に及ぼすスパッタリングガス圧力及び窒素濃度の効果

Author (4)： KUSAKA K (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  TANIGUCHI D (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  HANABUSA T (Tokushima Univ., Tokushima, JPN) ,  TOMINAGA K (Tokushima Univ., Tokushima, JPN)
Material： Vacuum
Volume： 66  Issue： 3/4  Page： 441-446  Publication year： Aug. 19, 2002 
JST Material Number： E0347A  ISSN： 0042-207X  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United Kingdom (GBR)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *aluminum nitride ,...

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JST classification (2)： Thin films of other inorganic compounds  (BK14060A) ,  Mechanical properties of solids in general  (BL01021C)

Terms in the title (7)： スパッタ ,  AlN ,  結晶配向 ,  残留応力 ,  スパッタリング ,  ガス圧力 ,  窒素濃度