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J-GLOBAL ID：200902188182034011   Reference number：97A0800777

High-Performance 1.06-μm Selectively Oxidized Vertical-Cavity Surface-Emitting Lasers with InGaAs-GaAsP Strain-Compensated Quantum Wells.

InGaAs-GaAsP歪補償型量子井戸を持つ高性能1.06μm帯選択性酸化垂直共振器形面発光レーザ

Author (4)： HOU H Q (Sandia National Lab., NM, USA) ,  CHOQUETTE K D (Sandia National Lab., NM, USA) ,  GEIB K M (Sandia National Lab., NM, USA) ,  HAMMONS B E (Sandia National Lab., NM, USA)
Material： IEEE Photonics Technology Letters  (IEEE Transactions Photonics Technology Letters)
Volume： 9  Issue： 8  Page： 1057-1059  Publication year： Aug. 1997 
JST Material Number： T0721A  ISSN： 1041-1135  CODEN： IPTLEL  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： surface emitting laser ,...
Semi thesaurus term： VCSEL

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JST classification (1)： Semiconductor lasers  (BD04070L)

Terms in the title (8)： InGaAs ,  GaAsP ,  歪補償 ,  量子井戸 ,  高性能 ,  選択性 ,  酸化 ,  垂直共振器形面発光レーザ