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J-GLOBAL ID：200902188709271092   Reference number：99A0245628

Fabrication of InP Submicron Pillars for Two-Dimensional Photonic Crystals by Reactive Ion Etching.

反応性イオンエッチングによる二次元フォトニック結晶のInPサブミクロン柱の加工

Author (8)： HATATE H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HASHIMOTO M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SHIRAKAWA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  FUJIWARA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TAKEDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKANO H (SAMCO International Inc., Kyoto, JPN) ,  TATSUTA T (SAMCO International Inc., Kyoto, JPN) ,  TSUJI O (SAMCO International Inc., Kyoto, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 37  Issue： 12B  Page： 7172-7176  Publication year： Dec. 1998 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *RIE ,...

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JST classification (1)： Manufacturing technology of solid-state devices  (NC03030V)

Reference (13)：

• 1) E. Yablonovitch: Phys. Rev. Lett. 58 (1987) 2059
• 2) S. Jhon: Phys. Rev. Lett. 58 (1987) 2486
• 3) E. Yablonovitch: J. Opt. Soc. Am. B 10 (1993) 283
• 4) E. Yablonovitch: J. Phys. Condens. Matter 5 (1993) 2443
• 5) E. R. Brown, C. D. Parker and E. Yablonovitch: J. Opt. Soc. Am. B 10 (1993) 404

Terms in the title (4)： 反応性イオンエッチング ,  二次元フォトニック結晶 ,  InP ,  サブ