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J-GLOBAL ID：200902189256448480   Reference number：01A0536425

圧力制御溶液成長法によるGaNバルク結晶成長

Author (2)： INOUE TAKAYUKI (ジャパンエナジー) ,  TAGUCHI TSUNEMASA (山口大 工)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 70  Issue： 5  Page： 567-568  Publication year： May. 10, 2001 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： compound semiconductor ,...

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  High-pressure production and techniques  (BA02030W)

Reference (5)：

• KARPINSKI, J. J. Cryst. Growth. 1984, 66, 1
• POROWSKI, S. MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 1999, 4S1, G13
• KAMP, M. Ext. Abstr. 3rd Int. Symp. Blue Laser and Light Emitting Diodes. 2000, No WeC2
• INOUE, T. Phys. Status Solidi. 2001, b223, 15
• KRUKOWSKI, S. Proc. 15th Melt Growth Meet. 1999, 279

Terms in the title (5)： 圧力制御 ,  溶液成長 ,  GaN ,  バルク ,  結晶成長