Art

J-GLOBAL ID：200902189346877488   Reference number：02A0941232

Growth and separation related properties of HVPE-GaN free-standing films.

HVPE-GaN自立薄膜について成長と分離の関係性

Author (5)： PASKOVA T (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  DARAKCHIEVA V (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  PASKOV P P (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE) ,  SOEDERVALL U (Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE) ,  MONEMAR B (Linkoeping Univ., Linkoeping, SWE)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 246  Issue： 3/4  Page： 207-214  Publication year： Dec. 2002 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=02A0941232&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=B0942A") }}

JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (6)： HVPE ,  GaN ,  自立 ,  薄膜 ,  成長 ,  関係性