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J-GLOBAL ID：200902189871746530   Reference number：00A0520677

Development of Si and compound semiconductor ultra-small FETs.

シリコンと化合物半導体超小型電界効果トランジスタの開発

Author (9)： OGURA M (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  SUZUKI E (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  TSUTSUMI T (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  KIM S J (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  ISHII K (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  MAEDA T (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  SUGAYA T (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  KAMEMARU S (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN) ,  SUGIYAMA Y (Electrotechnical Lab., Tuskuba, JPN)
Material： 新機能素子シンポジウム予稿集  (新機能素子技術シンポジウム予稿集)
Volume： 18th  Page： 27-32  Publication year： Oct. 1999 
JST Material Number： L0184A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (4)： シリコン ,  化合物半導体 ,  電界効果トランジスタ ,  開発