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J-GLOBAL ID：200902191984451000   Reference number：00A0658868

Persistent excited conductivity and the threshold fluence in a-Si:H under 17MeV proton irradiation.

17MeVプロトン照射下でのa-Si:Hにおける永続励起伝導率としきい値の影響

Author (4)： AMEKURA H (National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN) ,  KISHIMOTO N (National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN) ,  KONO K (National Res. Inst. Metals, Ibaraki, JPN) ,  KONDO A (Gifu Univ., Gifu, JPN)
Material： Journal of Non-Crystalline Solids  (J Non-Cryst Solid)
Volume： 266/269  Issue： Pt.A  Page： 444-449  Publication year： May. 2000 
JST Material Number： D0642A  ISSN： 0022-3093  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： silicon ,...
Semi thesaurus term： radiation defect

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JST classification (1)： Lattice defects in semiconductors  (BK12040Q)

Terms in the title (5)： プロトン照射 ,  Si ,  励起 ,  伝導率 ,  しきい値