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J-GLOBAL ID：200902192224651102   Reference number：02A0470069

Light-induced defect creation under intense optical excitation in hydrogenated amorphous silicon.

水素化したアモルファスシリコンにおける強い光学励起の下での光誘起欠陥生成

Author (2)： MORIGAKI K (Hiroshima Inst. Technol., Hiroshima, JPN) ,  HIKITA H (Meikai Univ., Chiba, JPN)
Material： Journal of Non-Crystalline Solids  (J Non-Cryst Solid)
Volume： 299/302  Issue： Pt.A  Page： 455-459  Publication year： Apr. 01, 2002 
JST Material Number： D0642A  ISSN： 0022-3093  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Structure of amorphous semiconductors  (BK04030O) ,  Other optical effects  (BM08040H)

Terms in the title (6)： 水素化 ,  アモルファスシリコン ,  光学 ,  励起 ,  光誘起 ,  欠陥