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J-GLOBAL ID：200902192558916425   Reference number：02A0631707

A High-Speed, High-Sensitivity Silicon Lateral Trench Photodetector.

高速,高感度シリコン横型トレンチ光検出器

Author (9)： YANG M (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  RIM K (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  ROGERS D L (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  SCHAUB J D (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  WELSER J J (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  KUCHTA D M (IBM T.J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  BOYD D C (IBM Microelectronics, NY, USA) ,  RODIER F (Altis Semiconductor, Essonnes, FRA) ,  RABIDOUX P A (IBM Microelectronics, VT, USA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 23  Issue： 7  Page： 395-397  Publication year： Jul. 2002 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *photodetector ,...

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JST classification (1)： Photodetectors  (NC03083X)

Terms in the title (5)： 高感度 ,  シリコン ,  横型 ,  トレンチ ,  光検出器