Art

J-GLOBAL ID：200902192840841411   Reference number：99A0282996

Self-compensation in Mg doped p-type GaN grown by MOCVD.

MOCVDにより成長させたMgドープp型GaNにおける自己補償

Author (7)： OBLOH H (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  BACHEM K H (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  KAUFMANN U (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  KUNZER M (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  MAIER M (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  RAMAKRISHNAN A (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU) ,  SCHLOTTER P (Fraunhofer Inst. Applied Solid State Physics(FhG-IAF), Freiburg, DEU)
Material： Journal of Crystal Growth  (J Cryst Growth)
Volume： 195  Issue： 1/4  Page： 270-273  Publication year： Dec. 1998 
JST Material Number： B0942A  ISSN： 0022-0248  Document type： Article
Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Terms in the title (7)： MOCVD ,  成長 ,  Mg ,  ドープ ,  GaN ,  自己 ,  補償