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J-GLOBAL ID：200902193332594812   Reference number：99A0518448

Tensile Strain Introduced in AlN Layer Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy on (0001) 6H-SiC with (GaN/AlN) Buffer.

有機金属気相エピタクシーで(GaN/AlN)バッファを持つ(0001)6H-SiC上に成長させたAlN層中の引っ張り歪

Author (6)： KURIMOTO M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  NAKADA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  ISHIHARA Y (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  SHIBATA M (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  HONDA T (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN) ,  KAWANISHI H (Kohgakuin Univ., Tokyo, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 38  Issue： 5B  Page： L551-L553  Publication year： May. 15, 1999 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOCVD ,...
Semi thesaurus term： MOVPE

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Reference (12)：

• KUGA, Y. Jpn.J.Appl.Phys. 1995, 34, 4085
• KURAMATA, A. Jpn.J.Appl.Phys. 1997, 36, 1130
• TAKEUCHI, T. Jpn.J.Appl.Phys. 1997, 36, 382
• WETZEL, C. MRS Int.J.Nitride Semicond.Res. 1998, 3, 31
• HONDA, T. J.Cryst.Growth. 1998, 189/190, 644

Terms in the title (7)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaN ,  AlN ,  バッファ ,  6H-SiC ,  成長 ,  引っ張り歪