Art

J-GLOBAL ID：200902193363740345   Reference number：98A0426442

Two-Dimensional Numerical Simulation of Schottky Barrier MOSFET with Channel Length to 10nm.

10nmまでのチャネル長のSchottky障壁MOSFETの二次元数値シミュレーション

Author (3)： HUANG C-K (Univ. Maryland, MD, USA) ,  ZHANG W E (Univ. Maryland, MD, USA) ,  YANG C H (Univ. Maryland, MD, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 45  Issue： 4  Page： 842-848  Publication year： Apr. 1998 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,...

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JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (4)： チャネル長 ,  Schottky障壁 ,  MOSFET ,  数値シミュレーション