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J-GLOBAL ID：200902194003385770   Reference number：99A0562537

Effect of impurity in CuInSe₂ by ion implantation.

CuInSe₂薄膜のイオン注入による不純物導入効果

Author (6)： TANAKA TOORU (豊橋技科大 工) ,  WAKAHARA AKIHIRO (豊橋技科大 工) ,  OSHIMA TAKESHI (原研) ,  ITO HISAYOSHI (原研) ,  OKADA SOHEI (原研) ,  YOSHIDA AKIRA (豊橋技科大 工)
Material： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
Volume： 99  Issue： 67(SDM99 1-13)  Page： 77-82  Publication year： May. 20, 1999 
JST Material Number： S0532B  ISSN： 0913-5685  Document type： Proceedings
Article type： 原著論文  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *impurity ,...
Semi thesaurus term： カルコパイライト構造

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JST classification (2)： Crystal growth of semiconductors  (BK13040X) ,  Solar cell  (NC03084O)

Terms in the title (4)： 薄膜 ,  イオン注入 ,  不純物 ,  導入効果