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J-GLOBAL ID：200902194850254711   Reference number：02A0809533

Optical and Electrical Properties of Layer Semiconductor n-InSe Doped with Sn.

Snをドープした層状半導体n-InSeの光学及び電気特性

Author (2)： SHIGETOMI S (Kurume Univ., Fukuoka, JPN) ,  IKARI T (Miyazaki Univ., Miyazaki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Brief Communications & Review Papers)
Volume： 41  Issue： 9  Page： 5565-5566  Publication year： Sep. 15, 2002 
JST Material Number： G0520B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *indium ,...
Semi thesaurus term： conduction band ,...

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JST classification (3)： Electronic structure of impurites and defects  (BM02100I) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S) ,  Photoconduction,photoelectromotive force  (BM03050J)

Reference (11)：

• 1) J. Martiner-Pastor, A. Segura, J. L. Valdés and A. Chevy: J. Appl. Phys. 62 (1987) 1477.
• 2) S. Shigetomi and T. I. Kari: J. Appl. Phys. 88 (2000) 1520.
• 3) A. Segura, K. Wünstei and A. Chevy: Appl. Phys. A 31 (1983) 139.
• 4) J. Martinez-Pastor, A. Segura, C. Julien and A. Chevy: Phys. Rev. B 46 (1992) 4607.
• 5) Abha and A. V. R. Warrie: J. Appl. Phys. 53 (1982) 5169.

Terms in the title (6)： Sn ,  ドープ ,  層状 ,  InSe ,  光学 ,  電気特性