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J-GLOBAL ID：200902194999721835   Reference number：02A0673781

Preparation and structural properties for GaN films grown on Si (111) by annealing.

アニーリングによるSi(111)面上のGaN膜の作製と構造特性

Author (7)： YANG Y-G (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  MA H-L (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  XUE C-S (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  ZHUANG H-Z (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  HAO X-T (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  MA J (Shandong Univ., Jinan, CHN) ,  TENG S-Y (Shandong Univ., Jinan, CHN)
Material： Applied Surface Science  (Appl Surf Sci)
Volume： 193  Issue： 1/4  Page： 254-260  Publication year： Jun. 05, 2002 
JST Material Number： B0707B  ISSN： 0169-4332  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： Netherlands (NLD)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *gallium nitride ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Other noncatalytic reactions  (CB06070U)

Terms in the title (5)： アニーリング ,  Si ,  GaN ,  作製 ,  構造特性