Art

J-GLOBAL ID：200902195371772720   Reference number：02A0359077

Fabrication and low-temperature transport properties of selectively grown dual-gated single-electron transistors.

選択的に成長させた二ゲート単一電子トランジスタの作製および低温輸送特性

Author (7)： MOTOHISA J (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  NAKAJIMA F (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  FUKUI T (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  VAN DER WIEL W G (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  ELZERMAN J M (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  DE FRANCESCHI S (Delft Univ. Technol., Delft, NLD) ,  KOUWENHOVEN L P (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 80  Issue： 15  Page： 2797-2799  Publication year： Apr. 15, 2002 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： MOCVD ,...

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JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts with Gr.13-15 element compounds  (BM03082Y) ,  Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (6)： 成長 ,  ゲート ,  単一電子トランジスタ ,  作製 ,  低温 ,  輸送特性