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J-GLOBAL ID：200902196191345340   Reference number：98A0678246

Effects of deposition temperature on polycrystalline silicon films using plasma-enhanced chemical vapor deposition.

プラズマ増強化学蒸着法を用いた多結晶シリコン膜に対する蒸着温度の効果

Author (4)： HASEGAWA S (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  SAKATA M (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  INOKUMA T (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN) ,  KURATA Y (Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 84  Issue： 1  Page： 584-588  Publication year： Jul. 01, 1998 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (1)： Semiconductor thin films  (BK14040E)

Terms in the title (3)： プラズマ増強化学蒸着 ,  多結晶シリコン膜 ,  蒸着温度