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J-GLOBAL ID：200902196298928748   Reference number：99A0812004

Gain dependence of the noise in the single electron transistor.

単一電子トランジスタのノイズの利得依存性

Author (5)： STARMARK B (Dep. Microelectronics and Nanosci., Goeteborg Univ. and Chalmers Univ., Goeteborg, SWE) ,  HENNING T (Dep. Microelectronics and Nanosci., Goeteborg Univ. and Chalmers Univ., Goeteborg, SWE) ,  CLAESON T (Dep. Microelectronics and Nanosci., Goeteborg Univ. and Chalmers Univ., Goeteborg, SWE) ,  DELSING P (Dep. Microelectronics and Nanosci., Goeteborg Univ. and Chalmers Univ., Goeteborg, SWE) ,  KOROTKOV A N (Moscow State Univ., RUS)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 86  Issue： 4  Page： 2132-2136  Publication year： Aug. 15, 1999 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *single electron transistor ,...

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JST classification (1)： Metal-insulator-metal structures  (BM03087F)

Terms in the title (4)： 単一電子トランジスタ ,  ノイズ ,  利得 ,  依存性