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J-GLOBAL ID：200902196640375306   Reference number：97A0743383

Phononless radiative recombination of indirect excitons in a Si/Ge type-II quantum dot.

Si/Ge第2種量子ドットにおける間接励起子の無フォノン放射再結合

Author (4)： FUKATSU S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SUNAMURA H (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  SHIRAKI Y (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN) ,  KOMIYAMA S (Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
Material： Applied Physics Letters  (Appl Phys Lett)
Volume： 71  Issue： 2  Page： 258-260  Publication year： Jul. 14, 1997 
JST Material Number： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： quantum dot ,...

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JST classification (2)： Excitons  (BM02120E) ,  Luminescence of semiconductors  (BM08092S)

Terms in the title (7)： Si ,  Ge ,  量子ドット ,  間接 ,  励起子 ,  フォノン ,  放射再結合