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J-GLOBAL ID：200902197720042479   Reference number：97A0529539

Back-Gated CMOS on SOIAS For Dynamic Threshold Voltage Control.

動的なしきい値電圧制御に適したSOIASバックゲートCMOS

Author (4)： YANG I Y (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  VIERI C (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  CHANDRAKASAN A (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA) ,  ANTONIADIS D A (Massachusetts Inst. Technol., MA, USA)
Material： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Trans Electron Devices)
Volume： 44  Issue： 5  Page： 822-831  Publication year： May. 1997 
JST Material Number： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： voltage control ,...
Semi thesaurus term： backgating

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JST classification (2)： Semiconductor integrated circuit  (NC03162T) ,  Materials of solid-state devices  (NC03020K)

Terms in the title (3)： しきい値電圧 ,  バックゲート ,  CMOS