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J-GLOBAL ID：200902198071788012   Reference number：99A0178785

Nitrogen doping in ZnS layers by low-pressure MOCVD.

減圧MOCVD法によるZnS薄膜への窒素ドーピング

Author (5)： NAKAMURA SHIGEYUKI (山口大 工) ,  SASAKI CHIHARU (山口大 工) ,  SAKASHITA TAKASHI (山口大 工) ,  YAMADASHI YOICHI (山口大 工) ,  TAGUCHI TSUNEMASA (山口大 工)
Material： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
Volume： 59th  Issue： 1  Page： 233  Publication year： Sep. 1998 
JST Material Number： Y0055A  Document type： Proceedings
Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Terms in the title (5)： 減圧 ,  MOCVD ,  ZnS ,  薄膜 ,  窒素ドーピング